Российские ученые впервые в мире смогли создать тонкий
полупроводник с заданными свойствами, это позволит конструировать миниатюрные
изделия электроники.
«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида
бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем
изменения концентрации кислорода. Предложенный метод позволяет быстро и просто
— а значит, дешево — получить материал с контролируемой запрещенной зоной», —
рассказал «Известиям» главный научный сотрудник Института биохимической физики
РАН Леонид Чернозатонский.
Нанося разное количество кислорода на разные части нитрида
бора, можно управлять его «проводимостью» и как бы рисовать на пленке нужную
микросхему. Ученые с помощью суперкомпьютера выстроили теоретическую модель
нового материала. Далее в ходе эксперимента удалось создать опытный образец,
который полностью соответствовал модели.
«Наше открытие позволит активно использовать этот материал в
таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение
энергии», — заявил один из соавторов работы, ведущий научный сотрудник
лаборатории «Неорганические наноматериалы» НИТУ «МИСиС» Павел Сорокин.
Открытие позволит, например, создать не микропроцессор, а
нанопроцессор — в тысячи раз меньше существующих. По словам исследователей, он
будет потреблять меньше энергии, что приведет к миниатюризации аккумуляторов и
появлению массовой «незаметной» электроники — невесомых кардиостимуляторов,
дешевых очков с дополненной реальностью, телефонов-сережек и других гаджетов,
которые пока сделать либо дорого, либо вообще невозможно.
