Физики в США создали первые графеновые транзисторы, которые
могут работать в тысячи раз быстрее кремниевых конкурентов. При этом они
потребляют примерно в сто раз меньше энергии, отмечают разработчики.
«Кремниевые технологии давно достигли своего предела, и мы
больше не можем опираться на них», — цитирует Райана Гельфанда из университета
Центральной Флориды в Орландо издание Nature Communications.
Графен, открытый в 2004 году российско-британскими физиками
Андреем Геймом и Константином Новоселовым, считается наиболее перспективным
материалом для создания транзисторов нового поколения.
Американские специалисты придумали использовать графен для
создания не обычных транзисторов, а «магнитных» аналогов, в которых движением
электронов управляют магнитные, а не электрические поля.
Ток в таком транзисторе может течь только в одном
направлении, и его сила будет зависеть от того, как много тока пропускается
через боковые нити из углерода. При этом помимо сверхвысокой скорости
переключения, их можно соединять напрямую.
Главная проблема заключается в том, что пока такой
графеновый транзистор не может эффективно работать при комнатной температуре,
ему требуется мощное охлаждение. Однако физики уже отыскали несколько способов,
которые должны решить данную проблему.
