Разрабатывается новая память формата RRAM

Тайваньские исследователи представили новый тип компьютерной памяти, получившей название RRAM или Resistive-RAM. Новая память в перспективе может заменить как высокоскоростную, но энергозависимую память DRAM, так и энергонезависимую, но значительно более медленную память NAND. Напомним, что DRAM используются в оперативной памяти компьютеров и серверов, а NAND — в портативных электронных устройствах.

Разработчики уверяют, что память RRAM объединяет в себе преимущества двух форматов и почти не имеет их недостатков. Ожидается, что первые серийные модули RRAM появятся через несколько лет. Новинка сможет похвастать расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи. При этом память будет энергонезависимой, а расчетное время продолжительности хранения данных превысит 10 лет.

По словам тайваньских инженеров, первые образцы памяти RRAM будут хорошо подходить для использования в SIM-картах и портативной электронике, требующей работы с большими объемами данных. На сегодня в институте произведены экспериментальные образцы модулей памяти емкостью всего 1 Кб.