Исследователи Университета Гранады Ноэль Родригес и Франциско Гамес демонстрируют пластину с ячейками памяти нового типа. Фото университета
Исследователи из Университета Гранады (Испания) вместе со специалистами лаборатории CEA-LETI в Гренобле (Франция) объявили о разработке инновационной технологии изготовления оперативной памяти. Предложенная методика получила название Advanced Random Access Memory (A-RAM). Предполагается, что со временем память этого типа придет на смену широко распространенной динамической памяти с произвольным доступом (DRAM).
Конструкция ячеек DRAM предусматривает использование одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Однако по мере миниатюризации микросхем (современные изделия производятся по нормам менее 20 нанометров) уменьшать размер конденсаторов становится все сложнее.
В ячейках памяти A-RAM конденсатор не применяется вовсе, что позволяет решить проблему внедрения более "тонких" техпроцессов. Кроме того, A-RAM обеспечивает высокую энергетическую эффективность, большие скорости передачи данных и открывает путь для дальнейшего наращивания емкости конечных изделий.
Теоретическая модель A-RAM была предложена в 2009 году. Теперь исследователи смогли доказать возможность ее практической реализации. Технология A-RAM защищена десятью международными патентами. Интерес к ней уже проявили производители компьютерной памяти, включая Samsung, Hynix и Micron.
