Гибкий микрочип памяти. Фото Университета Райса

Исследователи из Университета Райса (США) разработали новый тип памяти, которая в перспективе может стать альтернативой флеш-накопителям в портативных устройствах. Продемонстрированный образец, созданный командой ученых под руководством химика Джеймса Тура, обладает прозрачностью и гибкостью. Он выдерживает температуры свыше 500 градусов Цельсия, благодаря чему может функционировать в экстремальных условиях.

Разработка основывается на открытии, сделанном в 2010 году: тогда ученым удалось создать элемент памяти на основе оксида кремния SiOх. Такой элемент представляет собой трехслойную структуру, в центре которой находится диэлектрик (оксид кремния), а по краям — полупроводящие пластины поликристаллического кремния, служащие электродами. При пропускании электрического тока между ними в слое SiOх образуется проводящая цепочка нанокристаллов кремния размером около 5 нм, выполняющая функции переключателя.

Исследователи полагают, что показанный образец памяти еще на шаг приближает появление гибкой электроники — в частности, мобильных телефонов и компьютеров, способных к трансформации. Помимо гибкости и прозрачности, новая память имеет еще одно достоинство: ее элементы можно организовать в трехмерный массив. Благодаря этому повышается плотность хранения информации и уменьшаются габариты конечных устройств.

Исследователи уже ведут переговоры с производителями об организации выпуска чипов памяти нового поколения.