Компания Samsung объявила об очередных достижениях в разработке энергетически эффективных процессоров для мобильных устройств.
Samsung готовится к внедрению 14-нанометровой технологии изготовления "систем на чипе" по передовой методике FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), которая предусматривает применение транзисторов с трехмерной структурой.
Сообщается, что Samsung готовится к тестовому производству ряда процессоров нового поколения, включая изделия на архитектуре ARM Cortex-A7. Разработчики используют низковольтные компоненты платформы ARM big.LITTLE, которая предусматривает объединение основных вычислительных ядер Cortex-A15 и дополнительных ядер Cortex-A7. Гибридная конфигурация обеспечит оптимальный баланс между энергопотреблением и быстродействием, что поможет увеличить время автономной работы портативных устройств.
Сторонним разработчикам Samsung предложит набор средств, позволяющих проектировать 14-нанометровые изделия на основе технологии FinFET.
