Выпущена флэш-память с поддержкой миллиона циклов перезаписи

Поставщик полупроводников Micron Technology при участии Sun Microsystems разработал технологию создания NAND-памяти с существенно увеличенным сроком службы.

Новая технология позволяет выполнять около 1 миллиона циклов перезаписи информации без снижения надежности. Для сравнения, современная флэш-память поддерживает около 10 тысяч циклов перезаписи, после чего сохранность информации уже не гарантируется.

Разработчики уверены, что новая технология может использоваться для изготовления микросхем памяти, используемых в корпоративных системах хранения данных, кэш-памяти в жестких дисках, в сетевых устройствах и других областях применения, нуждающихся в повышенной надежности. Массовое производство флэш-памяти планируется начать в первом квартале 2009 года.