Samsung и Sun создадут износоустойчивую флэш-память

Компании Samsung и Sun Microsystems анонсировали совместный проект по разработке новой разновидности одноуровневой флэш-памяти, сообщает DigiTimes. Новая память будет отличаться высокой устойчивостью к износу, что позволит устанавливать ее в высокопроизводительные серверные системы.

Главной особенностью новой флэш-памяти станет поддержка впятеро большего количества циклов записи информации, чем у выпускаемой в настоящее время флэш-памяти. Также подчеркивается, что новая память будет в 100 раз лучше традиционных жестких дисков в операциях ввода/вывода в секунду (I/OPS) на ватт потребленной энергии. Однако точных цифр не сообщается.

Совместная работа Samsung и Sun Microsystems над созданием нового типа флэш-памяти началась несколько месяцев назад. После завершения работ над новым типом флэш-памяти компания Sun Microsystems намерена использовать ее в своих серверах и системах хранения данных.