Корпорация Toshiba приступила к строительству в Японии нового цеха по производству флэш-памяти. Предприятие будет принадлежать совместно Toshiba и SanDisk.
В новом цеху планируется производить флэш-память типа NAND, используемой в современной потребительской электронике и корпоративных накопителях, а также флэш-память с многоуровневой структурой (так называемую 3D-память). В компании считают, что спрос на 3D-память в ближайшие годы существенно возрастет. Расширение производства выполняется в "соответствии с рыночными реалиями" для сохранения конкурентоспособности и прочных позиций Toshiba на мировом рынке. В 2012 году доля Toshiba на мировом рынке флэш-памяти составила 31% (второе место после Samsung с долей 37%).
Напомним, в конце 2012 года Toshiba продемонстрировала прототип микросхемы памяти с 16 слоями, соединенными вертикальными проводниками диаметром 50 нм. Впрочем, Toshiba станет не первой компанией, которая приступит к массовому производству многоуровневой памяти. В начале августа Samsung объявил о начале серийного производства новых чипов флэш-памяти NAND емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND. Корейцы утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 Гб памяти, а 1 Тб.
В Toshiba отметили, что новый цех Fab 5 будет построен таким образом, чтобы влияние на окружающую среду было минимальным. Планируется использование вторичных энергоресурсов и энергоэффективного светодиодного освещения. Архитектры рассчитывают, что объем выбросов парниковых газов в результате работы нового цеха будет на 13% меньше в сравнении с показателем Fab 4. Кроме того, площадку планируется оснастить защитой от землетрясений.
Завершить строительство нового цеха компания намерена летом 2014 года, а приступить к массовому производству 3D-памяти — в 2015-м.
